「研究開発者を30％増やす」，台灣TSMCが2009年の研究開発方針を発表

台積電（TSMC）2009年7月6日在橫濱召開新聞發佈會，公佈了2009年的研發方針等。Jack Sun（研發副總裁）發表了演講。

　　Jack Sun表示，過去台積電的研發主要針對尖端CMOS技術。今後，將建立包含3個支柱的研發體制，除尖端CMOS技術外，還將包括“特殊/衍生”技術及封裝 技術。另外，特殊/衍生技術是指尖端CMOS以外的各種技術，包括RF、模擬、雙極/功率、CMOS圖像感測器及MEMS等。

　　為擴大研發範圍，將把研開人員由現在的1800人增加30％。研發費用也將比現在增加20％。另外，研發將針對工藝技術和設計技術兩方面進行。

　　此外，Jack Sun還宣佈，該公司已啟動研發用22nm生產線及TSV（Through Silicon Via）研發用300mm生產線、在比利時的魯汶設立了研發基地、將參與法國半導體研究機構CEA- LETI的“多電子束曝光研究計劃”等。

　　另外，Jack Sun還介紹了28nm製程的進展情況。如利用28nm低功耗工藝試製的64Mbit SRAM已經成功動作。28nm試製品將於2010年開始生產，2011年開始量產。首先將從小批量開始。（記者：小島 郁太郎）

■日文原文
「研究開発者を30％増やす」，台灣TSMCが2009年の研究開発方針を発表